（來源：法廣RFI 作者： 舊金山特約記者 王山 ，文章內容並不代表本網立場和觀點。）
北京當局加快研製「中國晶元」的腳步。彭博社報導說，中國準備制定一套全方位的新政策，2025年前將投放9.5萬億人民幣（1.4萬億美元）發展本國半導體產業，以應對特朗普政府的限制。這項任務的優先程度，「如同製造原子彈一樣」。
彭博社引述知情人士的消息：中國高層領導人將於10月開會，制定下一個五年的經濟策略，全力發展第三代半導體產業，提供科研、教育和融資等方面的支持，相關措施已納入《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃綱要》。
第三代半導體是由碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）等材料製造的晶元組，相較第一代半導體材料，具有更高效能與更高功率等優勢，被廣泛用於5G通訊、軍用雷達和電動車。
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彭博社報道說：中國每年進口的集成電路價值超過3000億美元，中國的半導體開發商依賴美國製造的晶元設計工具和專利、以及來自美國盟友的關鍵製造技術。不過，隨著美中關係惡化，中國企業愈來愈難從海外獲得組件和晶元製造技術。華為9月15日起無法獲得台積電等公司的晶元，因此增強了中國打造自主替代產品的急迫性。
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